توضیحات تکمیلی
نوعی رم غیر فرار است که داده ها را با تغییر حالت مواد مورد استفاده ذخیره می کند، به این معنی که بین حالت های آمورف و کریستالی در سطح میکروسکوپی تغییر می کند. PCM یک فناوری نوظهور در نظر گرفته می شود.
در بازه 500 تا 1000 برابر سریعتر از حافظه فلش معمولی است.
اساسا متعلق به تکنیک های حافظه حالت جامد غیر فرار است. معمولاً یک کالکوژنید بین دو الکترود رسانا قرار می‌گیرد و داده‌ها با تنظیم هر سلول در حالت مقاومت کم (کریستالی) یا مقاومت بالا (آمورف) ذخیره می‌شوند.
